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介绍外部32.768KHZ晶体振荡器

来源:http://mystarbucksmoment.cn 作者:康比电子 2019年07月15
    晶振的精度在整个温度范围内变化很大,会使时钟变慢(某些情况下使时钟变快).对于尽大多数电子应用,带有32.768K音叉晶体的RTC是标准的计时参考方案.典型的32.768kHz音叉晶体不能够在宽温范围内提供较高精度,在整个温度范围内精度呈抛物线型(图1),室温下(+25°C)精度典型值为±20ppm.相当于一天慢或快1.7秒,即每年误差10.34分钟.在高温顺低温区域精度变差,精度会低于150ppm (典型值),相当于一天误差13.0秒,每年误差1.3小时.32.768KHZ有分为无源和有源系列,下面要介绍的是32.768KHZ晶体振荡器相关介绍.
1.介绍
    本文件描述了与Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768千赫振荡器电路.它提供了所需的组件,原理图和推荐的布局指南.
2.振荡器电路描述
    该电路采用无缓冲反相器,四个外部电阻,两个电容和一个32.768KHZ.
3.原理图和材料清单
    图1显示了外部振荡器电路原理图.表1显示了包含组件值,供应商和描述的物料清单.
    图1.32.768KHZ晶体振荡器电路原理图
3.1.示意图描述
    电阻器R3和R4限制了无缓冲逆变器的电流驱动能力.当VIO=3.3V时,这将电路的电流消耗保持在大约8uA.电阻R2将逆变器偏置到其线性工作区域,以启动和保持振荡.为了不超过晶振的最大功耗,必须控制传输到晶体的总功率.电阻器R1在图1所示的示例电路中提供了这种电流限制,并且已经被调谐以确保不超过ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制.对于不同的晶体,请查看数据手册,确保不超过最大功耗.电容器C1和C2为晶体振荡提供所需的负载电容,频率为32.768千赫.
3.2.物料清单
表1物料清单
4.布局建议
    逆变器的输入是高阻抗节点,对噪声敏感.因此,应特别注意将电路的这一部分与数字信号或其他噪声源隔离.建议用接地迹线或平面围绕该节点.


图2显示了电路的敏感部分,图3显示了使用接地填充将逆变器输入与数字信号隔离的示例.

图3.示例布局显示使用地面填充来最小化噪声
   Silicon晶振集团打算向客户提供所有外围设备和模块的最新,准确和深入的文档,供使用或打算使用硅实验室产品的系统和软件实施者使用.表征数据,可用模块和外设,内存大小和内存地址指的是每个特定的设备,所提供的"典型"参数在不同的应用中可能也确实不同.这里描述的应用示例仅用于说明目的.Silicon集团保留在不另行通知和限制产品信息,规格和描述的情况下进行更改的权利,并且不保证所包含信息的准确性或完整性.硅实验室对使用此处提供的信息的后果不负任何责任

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