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常见问题

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  • 首页进口晶振SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

      SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

    • 产品型号:24942772
    • 频率:32.768KHZ
    • 尺寸:1.5*0.8mm
    • 产品介绍:硅MEMS计时装置的性能继续迅速改善,并超过了基于石英的定时装置的性能.硅制造技术生产具有亚微米特征和纳米精度的设备.MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由...
    • RoHS RoHS2
     


      
    SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振,硅MEMS计时装置的性能继续迅速改善,并超过了基于石英的定时装置的性能.硅制造技术生产具有亚微米特征和纳米精度的设备.MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.
      贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

    项目 符号 规格说明 条件
    输出频率范围 f0 32.768KHZ 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
    电源电压 VCC 1.2 V to 3.63 V 请联系我们以了解更多相关信息
    储存温度 T_stg -55℃ to +125℃ 裸存
    工作温度 T_use G: -20℃ to +70℃ 请联系我们查看更多资料http://mystarbucksmoment.cn
    H: -40℃ to +85℃
    J: -40℃ to +125℃
    频率稳定度 f_tol J: ±50 × 10-6  
    L: ±100 × 10-6
    T: ±150 × 10-6
    功耗 ICC 3.5 mA Max. 无负载条件、最大工作频率
    待机电流 I_std 3.3μA Max. ST=GND
    占空比 SYM 45 % to 55 % 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
    输出电压 VOH VCC-0.4V Min.  
    VOL 0.4 V Max.  
    输出负载条件 L_CMOS 15 pF Max.  
    输入电压 VIH 80% VCC Max. ST 终端
    VIL 20 % VCC Max.
    上升/下降时间 tr / tf 4 ns Max. 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
    振荡启动时间 t_str 3 ms Max. t=0 at 90 %
    频率老化 f_aging ±3 × 10-6 / year Max. +25 ℃, 初年度,第一年




    SiTime晶振产品线路焊接安装时注意事项
    耐焊性:
      将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
    (1)柱面式产品和DIP产品

    晶振产品类型 晶振焊接条件
    插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下
    比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件
    手工焊接+300°C或低于3秒钟
    请勿加热封装材料超过+150°C
    SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° +260°C或低于@最大值 10 s
    请勿加热封装材料超过+150°C

    (2)SMD产品回流焊接条件图
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。SiTime晶振,OSC晶振,

    尽可能使温度变化曲线保持平滑:

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